Fabrikant Productnummer:
IMW120R090M1HXKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IMW120R090M1HXKSA1-DG
Beschrijving:
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Voorraad:
344 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12800732
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IMW120R090M1HXKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolSiC™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V, 18V
Rds aan (max) @ id, vgs
117mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 3.7mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
707 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
115W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3-41
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IMW120
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
2156-IMW120R090M1HXKSA1-448
SP001946164
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
BSS119NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
