Fabrikant Productnummer:
IMYH200R100M1HXKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IMYH200R100M1HXKSA1-DG
Beschrijving:
SIC DISCRETE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 2000 V 26A (Tc) 217W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04
Voorraad:
13002564
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IMYH200R100M1HXKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolSiC™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
2000 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V, 18V
Rds aan (max) @ id, vgs
131mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 6mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+20V, -7V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
217W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-4-U04
Pakket / Doos
TO-247-4
Basis productnummer
IMYH200
Aanvullende informatie
Standaard pakket
240
Andere namen
SP005427376
448-IMYH200R100M1HXKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMTH10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
DMN2009UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
G75P04D5
MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
