Fabrikant Productnummer:
IPA65R045C7XKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPA65R045C7XKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Voorraad:
11 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12803792
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPA65R045C7XKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™ C7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.25mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4340 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
35W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-FP
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Basis productnummer
IPA65R045
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
SP001080092
2156-IPA65R045C7XKSA1
IFEINFIPA65R045C7XKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRF6636
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET