IPA80R600P7XKSA1
Fabrikant Productnummer:

IPA80R600P7XKSA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPA80R600P7XKSA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Voorraad:

73 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12846744
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPA80R600P7XKSA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™ P7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 170µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 500 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
28W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-FP
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Basis productnummer
IPA80R600

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
IPA80R600P7XKSA1-DG
SP001644604
448-IPA80R600P7XKSA1

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FQD8P10TM_SB82052

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

onsemi

FDMC86183

MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN

onsemi

FDU8580

MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK

onsemi

FQD12N20LTM-F085

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK