IPA95R310PFD7XKSA1
Fabrikant Productnummer:

IPA95R310PFD7XKSA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPA95R310PFD7XKSA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 950V 8.7A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 950 V 8.7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-313

Voorraad:

440 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12989741
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPA95R310PFD7XKSA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
950 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
310mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 520µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1765 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
31W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3-313
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
448-IPA95R310PFD7XKSA1
SP005547007

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
goford-semiconductor

G050N03S

N30V, 18A,RD<5M@10V,VTH1.1V~2.4V

goford-semiconductor

G050N03S

MOSFET N-CH 30V 18A SOP-8

goford-semiconductor

G700P06D3

P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

nte-electronics

NTE2984

MOSFET-PWR N-CHAN 60V 17A TO-220