Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
IPB016N08NF2SATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB016N08NF2SATMA1-DG
Beschrijving:
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 170A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Voorraad:
960 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12996897
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB016N08NF2SATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
StrongIRFET™ 2
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.65mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 267µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB016N
Datasheet & Documenten
Technische fiches
IPB016N08NF2S
Datasheets
IPB016N08NF2SATMA1
HTML Gegevensblad
IPB016N08NF2SATMA1-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
800
Andere namen
448-IPB016N08NF2SATMA1DKR
SP005571685
448-IPB016N08NF2SATMA1TR
448-IPB016N08NF2SATMA1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
STHU36N60DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
MCG35P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
BUK752R3-40E,127
NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40
MT9M131C12STC-MI-DR
CMOS IMAGE SENSOR SYSTEM-ON-CHIP