Fabrikant Productnummer:
IPB017N10N5LFATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB017N10N5LFATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Voorraad:
9941 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12801078
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB017N10N5LFATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™-5
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 270µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
840 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
313W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-7
Pakket / Doos
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis productnummer
IPB017
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
IPB017N10N5LFATMA1DKR
IPB017N10N5LFATMA1CT
SP001503850
IPB017N10N5LFATMA1-DG
IPB017N10N5LFATMA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPA80R310CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 6.8A TO220
IPD60R170CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
BSS138NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
