Fabrikant Productnummer:
IPB019N08N3GATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB019N08N3GATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Voorraad:
8632 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12800599
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB019N08N3GATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
14200 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-7
Pakket / Doos
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis productnummer
IPB019
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
IPB019N08N3GATMA1CT
IPB019N08N3 G-DG
IPB019N08N3 G
Q4136793
IPB019N08N3 GCT
IPB019N08N3 GTR-DG
IPB019N08N3GATMA1TR
SP000444110
2832-IPB019N08N3GATMA1-TR
IPB019N08N3G
IPB019N08N3 GCT-DG
IPB019N08N3 GDKR-DG
IPB019N08N3 GDKR
IPB019N08N3GATMA1DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPI25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
IPC100N04S5L1R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
