Fabrikant Productnummer:
IPB35N12S3L26ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB35N12S3L26ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voorraad:
12846762
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB35N12S3L26ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
120 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
26.3mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 39µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
71W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3-2
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IP35N
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP001398600
INFINFIPB35N12S3L26ATMA1
2156-IPB35N12S3L26ATMA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FQU5N40TU
MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
FQA12P20
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P
NTR0202PLT3G
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
