Fabrikant Productnummer:
IPB60R080P7ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB60R080P7ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Voorraad:
12806911
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB60R080P7ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ P7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
80mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2180 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
129W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB60R080
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
IPB60R080P7ATMA1TR
IPB60R080P7ATMA1-DG
IPB60R080P7
SP001664898
IFEINFIPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1DKR
2156-IPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SPD04N50C3T
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
SPU03N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
TN0604N3-G-P005
MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
