Fabrikant Productnummer:
IPB60R120C7ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB60R120C7ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voorraad:
12803354
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB60R120C7ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ C7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
120mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 390µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
92W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3-2
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB60R120
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
IPB60R120C7ATMA1TR
IPB60R120C7ATMA1DKR
INFINFIPB60R120C7ATMA1
SP001385048
IPB60R120C7ATMA1CT
2156-IPB60R120C7ATMA1
IPB60R120C7ATMA1-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRF6607
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRFH5303TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN
IPP60R120C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
