Fabrikant Productnummer:
IPB60R180P7ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB60R180P7ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Voorraad:
2501 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13064002
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB60R180P7ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ P7
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1081 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
72W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB60R180
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
IPB60R180P7ATMA1-ND
IPB60R180P7ATMA1CT
SP001664934
IPB60R180P7ATMA1DKR
IPB60R180P7ATMA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPD30N06S4L23ATMA2
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
IPB16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A D2PAK
