Fabrikant Productnummer:
IPB60R299CPAATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB60R299CPAATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voorraad:
3987 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12803487
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB60R299CPAATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
96W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3-2
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB60R299
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
INFINFIPB60R299CPAATMA1
IPB60R299CPAATMA1-DG
SP000539970
2156-IPB60R299CPAATMA1
448-IPB60R299CPAATMA1TR
448-IPB60R299CPAATMA1DKR
448-IPB60R299CPAATMA1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF3305PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
