IPB65R065C7ATMA2
Fabrikant Productnummer:

IPB65R065C7ATMA2

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPB65R065C7ATMA2-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Voorraad:

5227 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12801353
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPB65R065C7ATMA2 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ C7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3020 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
171W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB65R065

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP002447554
IPB65R065C7ATMA2CT
IPB65R065C7ATMA2DKR
IPB65R065C7ATMA2TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPA60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP

infineon-technologies

IPB60R099CPATMA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

infineon-technologies

IPL65R660E6AUMA1

MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK

infineon-technologies

IPB107N20NAATMA1

MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK