Fabrikant Productnummer:
IPB65R280E6ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB65R280E6ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Voorraad:
12804880
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB65R280E6ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
CoolMOS™ E6
Toestand van het product
Discontinued at Digi-Key
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB65R
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP000795274
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB80N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFI540NPBF
MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP
IPP120N20NFDAKSA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
