Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
IPB65R600C6ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB65R600C6ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12800561
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB65R600C6ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
63W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB65R
Datasheet & Documenten
Datasheets
IPB65R600C6ATMA1
HTML Gegevensblad
IPB65R600C6ATMA1-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
IPB65R600C6ATMA1TR
IPB65R600C6
IPB65R600C6-DG
IPB65R600C6DKR-DG
SP000794382
IPB65R600C6ATMA1DKR
IPB65R600C6CT-DG
IPB65R600C6DKR
IPB65R600C6ATMA1CT
IPB65R600C6CT
IPB65R600C6TR-DG
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STB8N65M5
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
531
DEELNUMMER
STB8N65M5-DG
EENHEIDSPRIJS
1.20
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
SIHD6N65ET1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
SIHD6N65ET1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.59
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IXFA16N60P3
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
IXFA16N60P3-DG
EENHEIDSPRIJS
4.80
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
IAUT260N10S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
IPA60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220