IPB70N04S406ATMA1
Fabrikant Productnummer:

IPB70N04S406ATMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPB70N04S406ATMA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Voorraad:

1995 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12799878
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPB70N04S406ATMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6.2mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 26µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2550 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
58W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3-2
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB70N04

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
IFEINFIPB70N04S406ATMA1
IPB70N04S406ATMA1DKR
2156-IPB70N04S406ATMA1
IPB70N04S406ATMA1TR
SP000711476
IPB70N04S4-06
IPB70N04S4-06-DG
IPB70N04S406ATMA1CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

BSZ018NE2LSIATMA1

MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON

infineon-technologies

IPB12CN10N G

MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK

infineon-technologies

BSO033N03MSGXUMA1

MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO

infineon-technologies

IPD26N06S2L35ATMA1

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3