Fabrikant Productnummer:
IPB70N10S3L12ATMA2
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB70N10S3L12ATMA2-DG
Beschrijving:
MOSFET_(75V 120V(
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voorraad:
13269513
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB70N10S3L12ATMA2 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
12.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 83µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5570 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3-2
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP005549661
448-IPB70N10S3L12ATMA2TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IMW65R007M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IPP034N08N5XKSA1
TRENCH 40<-<100V
IRF9393TRPBFXTMA1
TRENCH <= 40V