IPB80N04S2H4-ATMA2
Fabrikant Productnummer:

IPB80N04S2H4-ATMA2

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPB80N04S2H4-ATMA2-DG

Beschrijving:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Voorraad:

12967927
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPB80N04S2H4-ATMA2 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3-2
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
144
Andere namen
INFINFIPB80N04S2H4-ATMA2
2156-IPB80N04S2H4-ATMA2

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
Not applicable
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
renesas-electronics-america

H5N2901LSTL-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

nxp-semiconductors

PMN27XPE115

NEXPERIA PMN27XPE - SMALL SIGNAL

fairchild-semiconductor

IRFU220BTU

IRFU220 - HEXFET N-CHANNEL POWER

nxp-semiconductors

PHK12NQ03LT,518

NEXPERIA PHK12NQ03LT - 11.8A, 30