IPB95R450PFD7ATMA1
Fabrikant Productnummer:

IPB95R450PFD7ATMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPB95R450PFD7ATMA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 950 V 13.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Voorraad:

13001618
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPB95R450PFD7ATMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
950 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 360µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3-2
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
448-IPB95R450PFD7ATMA1TR
448-IPB95R450PFD7ATMA1CT
448-IPB95R450PFD7ATMA1DKR
SP005547014

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
goford-semiconductor

G04P10HE

MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223

vishay-siliconix

SISHA18ADN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

nexperia

PSMN2R1-30YLEX

PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK

diodes

DMN39M1LFVW-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333