Fabrikant Productnummer:
IPD068N10N3GATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD068N10N3GATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voorraad:
10507 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13064013
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD068N10N3GATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
OptiMOS™
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4910 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
150W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD068
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
IPD068N10N3GATMA1TR
SP001127816
IPD068N10N3GATMA1DKR
IPD068N10N3GATMA1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB65R045C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
IPD530N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
