IPD088N06N3GATMA1
Fabrikant Productnummer:

IPD088N06N3GATMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPD088N06N3GATMA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311

Voorraad:

12966854
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPD088N06N3GATMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 34µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
71W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3-311
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD088N

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
448-IPD088N06N3GATMA1TR
SP005559926

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPD048N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPD220N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

infineon-technologies

IPD079N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

nexperia

PSMN4R2-80YSEX

PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS