Fabrikant Productnummer:
IPD096N08N3GATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD096N08N3GATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voorraad:
2500 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12849342
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD096N08N3GATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
9.6mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
100W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD096
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
SP001127826
IPD096N08N3GATMA1DKR
IPD096N08N3GATMA1CT
IPD096N08N3GATMA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDS3572
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
AOTF266L
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
