Fabrikant Productnummer:
IPD12CN10NGATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD12CN10NGATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voorraad:
7180 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12801313
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD12CN10NGATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
12.4mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4320 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD12CN10
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
SP001127806
IPD12CN10NGATMA1CT
IPD12CN10NGATMA1-DG
IPD12CN10NGATMA1DKR
IPD12CN10NGATMA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
IPD60R2K1CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
IPD60R520CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3