Fabrikant Productnummer:
IPD19DP10NMATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD19DP10NMATMA1-DG
Beschrijving:
TRENCH >=100V PG-TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 100 V 2.6A (Ta), 13.7A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voorraad:
1907 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12968216
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD19DP10NMATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
186mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.04mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Ta), 83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD19D
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
SP005343854
448-IPD19DP10NMATMA1TR
448-IPD19DP10NMATMA1DKR
448-IPD19DP10NMATMA1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
ISP98DP10LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
IPT013N08NM5LF
SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
IPD18DP10LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3
