IPD200N15N3GBTMA1
Fabrikant Productnummer:

IPD200N15N3GBTMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPD200N15N3GBTMA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12804171
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPD200N15N3GBTMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
150 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
8V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1820 pF @ 75 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
150W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD200N

Datasheet & Documenten

Technische fiches
IPx200N15N3 G
Datasheets
IPD200N15N3GBTMA1
HTML Gegevensblad
IPD200N15N3GBTMA1-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
IPD200N15N3 GDKR
IPD200N15N3 GCT
IPD200N15N3 GTR-DG
IPD200N15N3G
IPD200N15N3GBTMA1TR
IPD200N15N3 GCT-DG
SP000386665
IPD200N15N3GBTMA1DKR
IPD200N15N3 G-DG
IPD200N15N3 GTR
IPD200N15N3 GDKR-DG
IPD200N15N3GBTMA1CT
IPD200N15N3 G

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IPD200N15N3GATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
51180
DEELNUMMER
IPD200N15N3GATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.19
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DEELNUMMER
FDD86250
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1640
DEELNUMMER
FDD86250-DG
EENHEIDSPRIJS
0.90
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPD30N06S215ATMA2

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

infineon-technologies

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

infineon-technologies

IRF2907ZLPBF

MOSFET N-CH 75V 160A TO262

infineon-technologies

IPD036N04LGBTMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3