Fabrikant Productnummer:
IPD30N06S2L13ATMA4
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD30N06S2L13ATMA4-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Voorraad:
19615 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12800492
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD30N06S2L13ATMA4 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
55 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
13mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
136W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3-11
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD30N06
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
IPD30N06S2L13ATMA4TR
SP001061280
2156-IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4DKR
INFINFIPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4-DG
IPD30N06S2L13ATMA4CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
BUZ31
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
