Fabrikant Productnummer:
IPD30N10S3L34ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD30N10S3L34ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Voorraad:
35870 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12803954
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD30N10S3L34ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
31mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 29µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1976 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
57W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3-11
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD30N10
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
IPD30N10S3L-34TR
IPD30N10S3L-34DKR
IPD30N10S3L34ATMA1DKR
IPD30N10S3L-34CT-DG
IPD30N10S3L34
SP000261248
IPD30N10S3L-34DKR-DG
IPD30N10S3L34ATMA1CT
IPD30N10S3L-34
IPD30N10S3L-34TR-DG
IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34-DG
IPD30N10S3L34ATMA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRF8788TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
IPI120N06S402AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IRFH5104TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
