Fabrikant Productnummer:
IPD50R650CEATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD50R650CEATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voorraad:
12801850
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD50R650CEATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
CoolMOS™ CE
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
500 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
13V
Rds aan (max) @ id, vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
69W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD50R
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
IPD50R650CEATMA1DKR
IPD50R650CEATMA1CT
IPD50R650CEATMA1-DG
SP001117708
IPD50R650CEATMA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IPD50R650CEAUMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1584
DEELNUMMER
IPD50R650CEAUMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.27
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
AUIRF1405ZS
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
BSC13DN30NSFDATMA1
MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
AUIRF7799L2TR
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
