IPD60R3K3C6

Fabrikant Productnummer:

IPD60R3K3C6

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPD60R3K3C6-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12804769

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IPD60R3K3C6 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Infineon Technologies

Verpakking

-

Reeks

CoolMOS™ C6

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

600 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

1.7A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

3.3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 40µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

4.6 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

93 pF @ 100 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

18.1W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

PG-TO252-3

Pakket / Doos

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Basis productnummer

IPD60R

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

2,500

Andere namen

SP000799130

IPD60R3K3C6DKR

IPD60R3K3C6BTMA1

IPD60R3K3C6TR

IPD60R3K3C6CT

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER

STD2N62K3

Fabrikant

STMicroelectronics

BESCHIKBARE HOEVEELHEID

2192

DEELNUMMER

STD2N62K3-DG

EENHEIDSPRIJS

0.54

SUBSTITUTIE TYPE

MFR Recommended

DEELNUMMER

IPD60R3K3C6ATMA1

Fabrikant

Infineon Technologies

BESCHIKBARE HOEVEELHEID

4490

DEELNUMMER

IPD60R3K3C6ATMA1-DG

EENHEIDSPRIJS

0.22

SUBSTITUTIE TYPE

Parametric Equivalent

DEELNUMMER

SIHD2N80E-GE3

Fabrikant

Vishay Siliconix

BESCHIKBARE HOEVEELHEID

1

DEELNUMMER

SIHD2N80E-GE3-DG

EENHEIDSPRIJS

0.48

SUBSTITUTIE TYPE

MFR Recommended

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

infineon-technologies

IRFR2405TRLPBF

MOSFET N-CH 55V 56A DPAK

infineon-technologies

IPB60R600CPATMA1

MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK

IRF7853PBF

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

infineon-technologies

IRF6619

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET