Fabrikant Productnummer:
IPD65R190C7ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD65R190C7ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voorraad:
3671 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12800572
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD65R190C7ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ C7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
72W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD65R
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
IPD65R190C7ATMA1DKR
IPD65R190C7ATMA1TR
SP000928648
IPD65R190C7ATMA1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
IPP08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3