Fabrikant Productnummer:
IPD70N10S312ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD70N10S312ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Voorraad:
15078 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12801217
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD70N10S312ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
11.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4355 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3-11
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD70
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
IPD70N10S312ATMA1DKR
IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12-DG
IPD70N10S3-12DKR-DG
IPD70N10S312
IPD70N10S3-12TR-DG
IPD70N10S3-12
IPD70N10S3-12CT-DG
IPD70N10S312ATMA1TR
SP000427248
IPD70N10S3-12DKR
IPD70N10S312ATMA1CT
IPD70N10S3-12TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPP100N06S2L05AKSA2
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IPB80N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3