Fabrikant Productnummer:
IPD80R2K7C3AATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD80R2K7C3AATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Voorraad:
4180 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12803727
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD80R2K7C3AATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
42W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA (DPAK)
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD80R2
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
INFINFIPD80R2K7C3AATMA1
2156-IPD80R2K7C3AATMA1
SP001065818
448-IPD80R2K7C3AATMA1TR
IPD80R2K7C3AATMA1-DG
448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR
448-IPD80R2K7C3AATMA1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPA65R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP
IRF1324PBF
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
