IPDD60R190G7XTMA1
Fabrikant Productnummer:

IPDD60R190G7XTMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPDD60R190G7XTMA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 76W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1

Voorraad:

167 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12800915
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPDD60R190G7XTMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ G7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
190mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 210µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
718 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
76W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-HDSOP-10-1
Pakket / Doos
10-PowerSOP Module
Basis productnummer
IPDD60

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,700
Andere namen
IPDD60R190G7XTMA1DKR
SP001632844
IPDD60R190G7XTMA1TR
2156-IPDD60R190G7XTMA1-448
IPDD60R190G7XTMA1CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPB06N03LB G

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

infineon-technologies

IPI50R199CPXKSA1

MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3

infineon-technologies

IPD70R360P7SAUMA1

MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3

infineon-technologies

IPB12CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK