Fabrikant Productnummer:
IPI024N06N3GXKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPI024N06N3GXKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Voorraad:
12801611
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPI024N06N3GXKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 196µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
23000 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3-1
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI024
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
IPI024N06N3GXKSA1-DG
SP000680644
448-IPI024N06N3GXKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
64-2096PBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
