Fabrikant Productnummer:
IPI029N06NAKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPI029N06NAKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voorraad:
61 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12805752
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPI029N06NAKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 75µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI029
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
IPI029N06N
SP000962134
2156-IPI029N06NAKSA1
INFINFIPI029N06NAKSA1
IPI029N06N-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFR5305CPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IPD50R950CEAUMA1
CONSUMER
IPL60R365P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
