IPI045N10N3GXK
Fabrikant Productnummer:

IPI045N10N3GXK

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPI045N10N3GXK-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 137A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12800266
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPI045N10N3GXK Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™ 3
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
137A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
8410 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
214W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI045N

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP000482424

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPD50R280CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3

infineon-technologies

IPB70N10SL16ATMA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

infineon-technologies

IPB45N06S4L08ATMA1

MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

infineon-technologies

BSL296SNH6327XTSA1

MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6