Fabrikant Productnummer:
IPI084N06L3GXKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPI084N06L3GXKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Voorraad:
12803247
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPI084N06L3GXKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 34µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
79W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3-1
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI084N
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
SP001065242
2156-IPI084N06L3GXKSA1
IFEINFIPI084N06L3GXKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPC302N08N3X1SA1
MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
IRFR4105ZTRL
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPC65R070C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE