Fabrikant Productnummer:
IPI50R350CP
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPI50R350CP-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 550 V 10A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voorraad:
12846233
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPI50R350CP Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
550 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
350mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 370µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
89W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI50R
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
SP000236084
2156-IPI50R350CP
ROCINFIPI50R350CP
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STP18N55M5
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
971
DEELNUMMER
STP18N55M5-DG
EENHEIDSPRIJS
1.33
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
AOT416L
MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220
FDZ299P
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
FDB8441
MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
