Fabrikant Productnummer:
IPI60R099CPXKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPI60R099CPXKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voorraad:
500 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12800175
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPI60R099CPXKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
99mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
255W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI60R099
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
IPI60R099CP-DG
IPI60R099CP
IPI60R099CPXKSA1-DG
SP000297356
448-IPI60R099CPXKSA1
IPI60R099CPAKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BTS121ANKSA1
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
BSC084P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
IPD50R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3