Fabrikant Productnummer:
IPI60R199CPXKSA2
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPI60R199CPXKSA2-DG
Beschrijving:
HIGH POWER_LEGACY
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Voorraad:
500 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12804558
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPI60R199CPXKSA2 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1520 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
139W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3-1
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI60R199
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
SP001109508
448-IPI60R199CPXKSA2
2156-IPI60R199CPXKSA2
IPI60R199CPXKSA2-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFS4620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IPU60R2K1CEBKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
IRFR220NTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
