Fabrikant Productnummer:
IPI60R250CPAKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPI60R250CPAKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 12A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voorraad:
12805934
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPI60R250CPAKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI60R
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
IPI60R250CP-DG
SP000358141
IPI60R250CP
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STP18N60M2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
470
DEELNUMMER
STP18N60M2-DG
EENHEIDSPRIJS
0.87
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
STI18N65M2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
229
DEELNUMMER
STI18N65M2-DG
EENHEIDSPRIJS
1.05
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRLZ44ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IRLU8721-701PBF
MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
IRF6674TR1PBF
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
