IPI90R800C3

Fabrikant Productnummer:

IPI90R800C3

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPI90R800C3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12818939

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IPI90R800C3 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Infineon Technologies

Verpakking

-

Reeks

CoolMOS™

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

900 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

6.9A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

800mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 460µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

42 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1100 pF @ 100 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

104W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

PG-TO262-3

Pakket / Doos

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Basis productnummer

IPI90R

Datasheet & Documenten

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1

Andere namen

2156-IPI90R800C3-IT

SP000413730

IFEINFIPI90R800C3

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

littelfuse

IXFX30N110P

MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247-3

littelfuse

IXFH90N20X3

MOSFET N-CH 200V 90A TO247

littelfuse

IXTT40N50L2

MOSFET N-CH 500V 40A TO268

littelfuse

IXFP20N85X

MOSFET N-CH 850V 20A TO220AB