Fabrikant Productnummer:
IPN50R800CEATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPN50R800CEATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Voorraad:
15140 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12802708
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPN50R800CEATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ CE
Toestand van het product
Last Time Buy
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
500 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
13V
Rds aan (max) @ id, vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT223
Pakket / Doos
TO-261-4, TO-261AA
Basis productnummer
IPN50R800
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SP001461196
IPN50R800CEATMA1TR
2156-IPN50R800CEATMA1
IPN50R800CEATMA1DKR
IPN50R800CEATMA1CT
IPN50R800CEATMA1-DG
IFEINFIPN50R800CEATMA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPU60R2K0C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
IRF3515STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
