Fabrikant Productnummer:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPN60R1K5PFD7SATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Voorraad:
2970 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12810881
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPN60R1K5PFD7SATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™PFD7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 40µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
169 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT223-3
Pakket / Doos
TO-261-4, TO-261AA
Basis productnummer
IPN60R1
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
448-IPN60R1K5PFD7SATMA1CT
448-IPN60R1K5PFD7SATMA1TR
448-IPN60R1K5PFD7SATMA1DKR
SP004748876
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPT60R040S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
IMW65R072M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPS60R210PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO251-3
