Fabrikant Productnummer:
IPN60R360PFD7SATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPN60R360PFD7SATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3-1
Voorraad:
13573 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12810864
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPN60R360PFD7SATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™PFD7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 140µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
534 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
7W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT223-3-1
Pakket / Doos
TO-261-3
Basis productnummer
IPN60R
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
448-IPN60R360PFD7SATMA1CT
SP004038250
448-IPN60R360PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R360PFD7SATMA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IMZA65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
