Fabrikant Productnummer:
IPN80R1K4P7ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPN80R1K4P7ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Voorraad:
1921 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12859080
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPN80R1K4P7ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ P7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 500 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
7W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT223
Pakket / Doos
TO-261-4, TO-261AA
Basis productnummer
IPN80R1
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
2156-IPN80R1K4P7ATMA1
IFEINFIPN80R1K4P7ATMA1
SP001657528
IPN80R1K4P7ATMA1DKR
IPN80R1K4P7ATMA1CT
IPN80R1K4P7ATMA1TR
IPN80R1K4P7ATMA1-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
NTD14N03RG
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
NTD20N06L-1G
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD23N03RT4
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK