Fabrikant Productnummer:
IPN80R2K0P7ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPN80R2K0P7ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 6.4W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Voorraad:
12803654
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPN80R2K0P7ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ P7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
175 pF @ 500 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6.4W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT223
Pakket / Doos
TO-261-4, TO-261AA
Basis productnummer
IPN80R2
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
IPN80R2K0P7ATMA1CT
IPN80R2K0P7ATMA1DKR
SP001664996
IPN80R2K0P7ATMA1-DG
IPN80R2K0P7ATMA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFR13N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IPL60R125P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
IRF3708PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
