Fabrikant Productnummer:
IPP030N10N3GXKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPP030N10N3GXKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Voorraad:
1863 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12800396
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPP030N10N3GXKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
14800 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IPP030
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
IPP030N10N3 G
448-IPP030N10N3GXKSA1
IPP030N10N3G
2156-IPP030N10N3GXKSA1
IPP030N10N3 G-DG
SP000680768
IPP030N10N3GXKSA1-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPD15N06S2L64ATMA1
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3