IPP057N06N3GHKSA1
Fabrikant Productnummer:

IPP057N06N3GHKSA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPP057N06N3GHKSA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Voorraad:

12805514
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPP057N06N3GHKSA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 58µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
115W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IPP057M

Datasheet & Documenten

Aanvullende informatie

Standaard pakket
500
Andere namen
SP000446780

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IPP057N06N3GXKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
494
DEELNUMMER
IPP057N06N3GXKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.67
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPP60R520CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3

infineon-technologies

IRLZ44NSPBF

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

infineon-technologies

IRFB7434GPBF

MOSFET N CH 40V 195A TO220AB

infineon-technologies

IPB65R110CFDAATMA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK